刻蚀（ETCH）工艺的基础知识ETCH
2 V/ t8 G3 f0 R" M( t 何谓蚀刻(Etch)?
/ D% S( n# I" t. ^& Z" X* y 答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。
+ U8 a3 _7 Z& {. ]7 V: }" f( r3 p 蚀刻种类: 7 G/ @+ p* z$ v9 U! A |+ R
答：(1) 干蚀刻(2) 湿蚀刻 6 c6 D' L( g0 D# E8 D1 I) w
蚀刻对象依薄膜种类可分为: " Q- J4 T3 J: L( b
答：poly,oxide, metal 4 [- w. m; v/ j t' |3 F
半导体中一般金属导线材质为何? ! w: A0 b: ], y# Y
答：鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu)
1 L G5 Z1 V! u, B 何谓 dielectric 蚀刻(介电质蚀刻)? 6 P( t( @2 r [2 Z* A" k9 Q* u
答：Oxide etch and nitride etch 7 Y0 E5 ]4 h' C$ f
半导体中一般介电质材质为何? " p4 `4 a2 [& i7 u! q
答：氧化硅/氮化硅 " ^$ j% w# } C6 h5 [
何谓湿式蚀刻 & x4 `0 r) r8 x
答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除 & X$ G0 X7 N/ R% j, {- M# S: n
何谓电浆 Plasma? ' G: K/ _2 j W8 ^, o4 Y
答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,
. H8 m8 d; J, s( `# v负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.
) y5 Y) B z; }6 K& f. c 何谓干式蚀刻?
$ H* E& y# v. |. a! z 答：利用plasma将不要的薄膜去除 . X# P" X W) z" B
何谓Under-etching(蚀刻不足)? 0 z% u' j* n6 @1 Y
答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留
$ M( n9 D9 q9 m; @6 P) S 何谓Over-etching(过蚀刻 ) 2 }0 u: b; K& W0 c
答：蚀刻过多造成底层被破坏
0 H) U K$ W4 J/ T& e 何谓Etch rate(蚀刻速率) 3 b9 y, T; d( ]
答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度
# G# d! J7 C( A0 J 何谓Seasoning(陈化处理)
- o! p1 | J+ S 答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy） 晶圆
/ D( U2 d6 F$ h# ` F! s1 T$ J进行数次的蚀刻循环。
9 ]! E8 t8 d$ @- I8 N9 N Asher的主要用途:
/ ~ F3 A, B. W5 S 答：光阻去除
2 h3 p* t5 n7 N# [ Wet bench dryer 功用为何? 2 P. T) M0 R% s5 L* Y$ A% C
答：将晶圆表面的水份去除 5 r1 G, z/ h& c7 i6 @7 d; p+ \
列举目前Wet bench dry方法: . J5 ?) p) M# Z* ~9 z1 J9 R+ L
答：(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry
& o9 f; ^: J) l/ g N 何谓 Spin Dryer
% H e# F" }- j 答：利用离心力将晶圆表面的水份去除 3 o, N6 w. {& J$ O1 P0 p
何谓 Maragoni Dryer
' m6 K k5 O0 D) M) w, F. G 答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除 ! ?8 ]1 X# C4 ]% @0 a
何谓 IPA Vapor Dryer # r/ m8 ]& r+ u) @& R$ a' m" y
答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除
; j/ R. W( w- t 测Particle时,使用何种测量仪器?
6 v# w7 Z' g" s8 ^! w+ f9 T, U G 答：Tencor Surfscan
1 e" \: F( N/ O e 测蚀刻速率时,使用何者量测仪器? " H% Y# w# n) ]! e
答：膜厚计,测量膜厚差值 / T8 _" ]* y: ]$ b4 O
何谓 AEI . e2 ^; S8 d4 r, _
答：After Etching Inspection 蚀刻后的检查
. n1 j' v5 L5 u AEI目检Wafer须检查哪些项目: 9 n: e/ s9 }; B2 |/ z% k! t! D
答：(1) 正面颜色是否异常及刮伤 (2) 有无缺角及Particle (3)刻号是否正确
: v* `9 G* j* L8 i 金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理? 0 n! `0 ]+ n& B% @
答：清机防止金属污染问题
+ H, F9 L# L) p8 `( x 金属蚀刻机台asher的功用为何?
$ {9 V5 M" _9 I! R( Q7 X" I 答：去光阻及防止腐蚀
, {" r+ D/ W, ^4 O0 @6 ^ 金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗? : _& x* f- G+ M) b; q6 {
答：因为金属线会溶于硫酸中
8 A: a2 o- R9 f/ o. d/ C3 w "Hot Plate"机台是什幺用途?
$ j: j9 L+ ^: o) K( K4 C+ e 答：烘烤 3 x0 S. ?1 h- G+ q
Hot Plate 烘烤温度为何?
( p: t1 v2 s) h: U# s 答：90~120 度C
$ ]9 A2 C6 l0 S* H/ w0 K 何种气体为Poly ETCH主要使用气体? - {3 t+ g* h3 q) r- n# U
答：Cl2, HBr, HCl
' m% P6 o+ V9 N" x0 k9 c. o 用于Al 金属蚀刻的主要气体为
! w' @/ b5 l$ d4 K/ i 答：Cl2, BCl3
8 r: q0 W7 s3 l6 Z: H 用于W金属蚀刻的主要气体为
1 T% V: Z' `$ L8 R5 r- m) | 答：SF6 + {* @& I& \) }% z+ f* O8 X% C
何种气体为oxide vai/contact ETCH主要使用气体? 3 {* G" G$ T8 y+ i3 L9 [- D, s
答：C4F8, C5F8, C4F6 : u- a, ], M& a! r }) i1 O
硫酸槽的化学成份为:
7 e3 V* s6 n) n$ ` 答：H2SO4/H2O2
9 E+ o3 ]1 W1 e$ L/ M AMP槽的化学成份为: - M0 ]9 i4 p9 Z4 T) G) P/ C: `9 F
答：NH4OH/H2O2/H2O
, F7 ?+ g3 q8 ^3 O1 n UV curing 是什幺用途?
& Y- _9 J5 a/ |) t 答：利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度 & r8 P" h4 ] B$ u
"UV curing"用于何种层次?
) z. i; `( e4 m: B0 w# Y5 O 答：金属层
' U. E9 D( w& g7 C2 x4 R7 r6 Z- D 何谓EMO?
# l/ I/ n0 b( J& R 答：机台紧急开关
; ^, x9 A7 T5 \* x3 Q+ I) P( W EMO作用为何? : V$ @0 _4 }- n9 Q
答：当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下
x* _4 ]0 N* I. Q( h+ L 湿式蚀刻门上贴有那些警示标示? 4 B! b- k6 v: R7 {5 O5 G9 C
答：(1) 警告.内部有严重危险.严禁打开此门 (2) 机械手臂危险. 严禁打开此门 (3" A) Z; G7 B, ]) p
) 化学药剂危险. 严禁打开此门 9 q/ F. N" h0 o! E
遇化学溶液泄漏时应如何处置?
' [% S1 ~8 H; j& F8 L 答：严禁以手去测试漏出之液体. 应以酸碱试纸测试. 并寻找泄漏管路. : Z7 n9 P4 }6 i% {3 g3 D/ j
遇 IPA 槽着火时应如何处置?? ; S3 H, k8 q% _& A- B, j8 g
答：立即关闭IPA 输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组
/ z& U9 R& c: S( } BOE槽之主成份为何? ( a2 V% t& k1 G2 L
答：HF(氢氟酸)与NH4F(氟化铵).
7 e9 |. J: l- O7 ?4 X BOE为那三个英文字缩写 ? . g& D0 h3 B6 |% [0 |2 [* f `
答：Buffered Oxide Etcher 。
. M8 k, C, N( C2 \: \" m/ \ 有毒气体之阀柜(VMB)功用为何? ) [; h6 N. p4 Q- W# j. D) i
答：当有毒气体外泄时可利用抽气装置抽走,并防止有毒气体漏出
/ i7 w0 L1 w8 B6 F. W; v 电浆的频率一般13.56 MHz,为何不用其它频率?
: H: V& r$ z4 {% O& D; d+ t" c 答：为避免影响通讯品质,目前只开放特定频率,作为产生电浆之用,如380~420KHz ,1
: P) S. a5 ]& B' ^" m0 y- U3.56MHz,2.54GHz等 , P& K- f* y# |! H& R, M: i
何谓ESC(electrical static chuck) 4 x8 _. R' m& ?
答：利用静电吸附的原理, 将 Wafer 固定在极板 (Substrate) 上
' `' p" d5 h) \5 B( ]9 r- F Asher主要气体为 . q: c L" A, `, r* E6 b. R5 a' U
答：O2
3 F; f! ~( x) G: h+ G s Asher机台进行蚀刻最关键之参数为何?
9 k9 O/ `' b. R7 Q% D! Q 答：温度
: w; |9 E+ _% `0 O+ n$ }% ~9 X 简述TURBO PUMP 原理 l% n8 `& ]3 ^0 B6 Z" D
答：利用涡轮原理,可将压力抽至10-6TORR 2 z5 E0 Q" v8 h. U
热交换器(HEAT EXCHANGER)之功用为何？ 3 K& H) p! C1 g% J0 i) R
答：将热能经由介媒传输,以达到温度控制之目地 + |9 o" y' V7 r; d
简述BACKSIDE HELIUM COOLING之原理？
) ^2 {- _) M; y* E 答：藉由氦气之良好之热传导特性,能将芯片上之温度均匀化
$ q& n. I1 T6 B& n9 Z6 i( N ORIENTER 之用途为何？ $ F$ E) Y8 ]5 Z: r4 S% u/ e
答：搜寻notch边,使芯片进反应腔的位置都固定,可追踪问题
: U! @$ a' R& B! W q& P. N5 N 简述EPD之功用
+ u4 s4 d8 P f0 k( M 答：侦测蚀刻终点;End point detector利用波长侦测蚀刻终点
0 R, [- H" p9 [ M; E' P# x 何谓MFC？ $ h3 g0 d& o& s
答：mass flow controler气体流量控制器;用于控制 反应气体的流量
7 |* Y* e7 e8 @# W GDP 为何? ' V ?7 g4 G, ?, Y. J
答：气体分配盘(gas distribution plate) % L2 k/ _- @& m X8 V" C
GDP 有何作用？
3 d2 f* ?# _6 K& E 答：均匀地将气体分布于芯片上方
; t. E9 D/ l. u, I' W 何谓 isotropic etch?
( e' B! ?) v& ?; f$ B$ W 答：等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率均等 ( y' ]9 s9 F8 Q- [" Z
何谓 anisotropic etch? & D @" T7 [9 Q6 m! M: t: U% `
答：非等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率少
7 _2 c/ B) S! @ 何谓 etch 选择比? $ X [/ T; e o: U6 O
答：不同材质之蚀刻率比值 H6 I: R6 b3 S9 L; H
何谓AEI CD? , a. \5 O L8 q; i- _ I3 m
答：蚀刻后特定图形尺寸之大小,特征尺寸(Critical Dimension)
4 x9 ]( G7 g3 D& U9 A 何谓CD bias? 2 j$ O" W0 {6 R# Y, |- o/ M
答：蚀刻CD减蚀刻前黄光CD 0 }3 [3 x( }+ u9 R
简述何谓田口式实验计划法?
: t+ @- }- G s, c5 z 答：利用混合变因安排辅以统计归纳分析 & c) e5 t5 f& E) A. `
何谓反射功率? 8 ~3 \. k5 M$ P+ h$ ?6 \2 \! V+ _" p
答：蚀刻过程中,所施予之功率并不会完全地被反应腔内接收端所接受,会有部份值反3 k' V* b4 S. {. W5 v* w
射掉,此反射之量,称为反射功率 7 T- j0 L# l3 ?8 v
Load Lock 之功能为何?
# e0 t. H, s7 G2 \7 F+ d1 Q 答：Wafers经由loadlock后再进出反应腔,确保反应腔维持在真空下不受粉尘及湿度的
+ b. s* H8 F% M! G影响. 7 y" R2 K, Q: O" W. ]
厂务供气系统中何谓 Bulk Gas ? 9 a4 X8 n4 U, S) X
答：Bulk Gas 为大气中普遍存在之制程气体, 如 N2, O2, Ar 等. ) M! r2 v$ Z/ W9 D8 ^; H
厂务供气系统中何谓Inert Gas?
3 r/ W4 y0 m" t8 z3 q 答：Inert Gas 为一些特殊无强烈毒性的气体, 如 NH3, CF4, CHF3, SF6 等.
/ L" r8 _) U: x) m" N 厂务供气系统中何谓Toxic Gas ? / M5 y6 F Z# J S2 z( G
答：Toxic Gas 为具有强烈危害人体的毒性气体, 如 SiH4, Cl2, BCl3 等. # r# b8 R! K+ b/ K
机台维修时,异常告示排及机台控制权应如何处理?
$ H9 d. b' q6 ^( o 答：将告示牌切至异常且将机台控制权移至维修区以防有人误动作 . i! Q* V, r+ H
冷却器的冷却液为何功用 ?
]7 Y) m8 P: O* r: w7 H- w& H$ r/ C 答：传导热 - _9 Q0 b2 ~$ |4 H+ N: T5 c! h
Etch之废气有经何种方式处理 ?
# p) ?/ m% O2 p0 ?9 q0 S& O 答：利用水循环将废气溶解之后排放至废酸槽 ) i5 H4 [) N2 {. i3 j
何谓RPM?
M, |5 @) e' P5 Q- L8 |% j, ^) u 答：即Remote Power Module,系统总电源箱. 9 _: E# ~, s5 V b# G
火灾异常处理程序 - Z0 n/ t6 L6 P5 i: k& E
答：(1) 立即警告周围人员. (2) 尝试 3 秒钟灭火. (3) 按下EMO停止机台. (4) 关! g, b$ V" |0 ^/ \3 A+ A, P
闭 VMB Valve 并通知厂务. (5) 撤离.
d% U; S, \) e 一氧化碳(CO)侦测器警报异常处理程序
4 z' T3 d/ h& S- ^$ p 答：(1) 警告周围人员. (2) 按 Pause 键,暂止 Run 货. (3) 立即关闭 VMB 阀,并通
: C( i d& \0 e知厂务. (4) 进行测漏.
' s& ]( `9 |6 d/ c7 K& c# l 高压电击异常处理程序 + N b* l9 A$ k# {. v
答：(1) 确认安全无虑下,按 EMO键(2) 确认受伤原因(误触电源,漏水等)(3) 处理受. F# }$ J/ C6 T' K4 V" r( g* U, D
伤人员
* U3 ?0 I2 h$ H. v T/C (传送Transfer Chamber) 之功能为何 ? % `5 {3 X5 j$ g6 q. ?+ t8 o
答：提供一个真空环境, 以利机器手臂在反应腔与晶舟间传送 Wafer,节省时间.
2 u) U7 }2 E% R& R 机台PM时需佩带面具否 5 k+ U/ m7 w: ?) I9 |
答：是,防毒面具
. _# `, g3 P. K/ _; n2 p3 l 机台停滞时间过久run货前需做何动作 , c2 B5 g! Z. U
答：Seasoning(陈化处理)
( a9 H* o* x2 [9 e 何谓日常测机
& P! ~1 I4 y) F5 V7 z 答：机台日常检点项目, 以确认机台状况正常 ! w6 y0 B+ S2 P! a
何谓WAC (Waferless Auto Clean)
; O7 C2 N. E8 T" A5 x9 _ 答：无wafer自动干蚀刻清机 * q+ j) c; K) j6 ?! g
何谓Dry Clean ; R3 @3 {1 w5 W% C+ _& \
答：干蚀刻清机
/ @& E, q1 x. N2 M" w7 ^$ } 日常测机量测etch rate之目的何在?
# ?- r( G, g2 @; L 答：因为要蚀刻到多少厚度的film,其中一个重要参数就是蚀刻率 4 ]+ R* h5 @- E
操作酸碱溶液时,应如何做好安全措施?
" O; x% F5 d, { 答：(1) 穿戴防酸碱手套围裙安全眼镜或护目镜(2) 操作区备有清水与水管以备不时
) z6 I5 B2 ?7 p G- D5 G之需(3) 操作区备有吸酸棉及隔离带
2 g# t, z1 y0 F* h+ L$ F 如何让chamber达到设定的温度?
; ]3 P1 d: U9 z3 t4 h2 d. } 答：使用heater 和 chiller
3 E8 t* |9 X6 N Chiller之功能为何?
- e- ~ C) z$ T2 s% l. F 答：用以帮助稳定chamber温度
& L" }9 D- F B/ E; q9 X' U 如何在chamber建立真空?
' N6 h5 p4 u' _0 r 答：(1) 首先确立chamber parts组装完整(2) 以dry pump作第一阶段的真空建立(3)6 I" j8 ^' d" s& v: O, z
当圧力到达100mTＤ寺再以turbo pump 抽真空至1mT以下
* J: o8 L3 o; n# [8 k2 e 真空计的功能为何?
2 _ ?! o1 h9 g! o& k, q! R4 W9 N 答：侦测chamber的压力,确保wafer在一定的压力下 process
) v2 {/ n' R; P$ m Transfer module 之robot 功用为何? # {7 ]4 v4 k; o' z
答：将wafer 传进chamber与传出chamber之用 & P6 A' s. g' r* T0 I% l
何谓MTBC? (mean time between clean)
: P R+ n3 U! W" d0 V- _ 答：上一次wet clean 到这次wet clean 所经过的时间
+ l) e5 B+ V- o RF Generator 是否需要定期检验? - [: @8 z9 z7 P6 n+ e8 W) o |
答：是需要定期校验;若未校正功率有可能会变化;如此将影响电浆的组成
4 F/ P. V& q+ A/ n, a" v 为何需要对etch chamber温度做监控? # ^* u+ l8 b$ O
答：因为温度会影响制程条件;如etching rate/均匀度
2 j' C. D/ {& z' ]1 `% ^3 O& I: P8 H 为何需要注意dry pump exhaust presure (pump 出口端的气压)?
$ V, ~7 W* _1 K$ {) Q/ z0 \7 M 答：因为气压若太大会造成pump 负荷过大;造成pump 跳掉,影响chamber的压力,直接
; q! B \0 h% U影响到run货品质 5 h* [' ?. ^- y
为何要做漏率测试? (Leak rate )
1 }! A5 i. B- n* k/ f 答： (1) 在PM后PUMP Down 1~2小时后;为确保chamber Run 货时,无大气进入chambl @/ L3 }* Z" C4 O' v$ Y
e 影响chamber GAS 成份(2) 在日常测试时,为确保chamber 内来自大气的泄漏源,故需测. L- t& p1 U& v8 O( o! U. p
漏 * K( b3 X- N% G, c Z. I5 N
机台发生Alarm时应如何处理? % M0 d; E- l5 @ n! z! E. d* h
答：(1) 若为火警,立即圧下EMO(紧急按钮),并灭火且通知相关人员与主管(2) 若是一
7 {' t( X8 x5 {4 [! X1 J+ a般异常,请先检查alarm 讯息再判定异常原因,进而解决问题,若未能处理应立即通知主要负
! r: J/ M' C! O1 Y( S$ W1 K9 ^- ^8 M责人
" O8 z; R& e, b N" j8 c4 V6 e3 [ 蚀刻机台废气排放分为那几类? , l: P* a M9 N9 B! j5 r
答：一般无毒性废气/有毒酸性废气排放 , D& l3 c& X* N) N9 {* Q8 E
蚀刻机台使用的电源为多少伏特(v)? 8 p/ s q4 _) W: D7 j. f
答：208V 三相
3 U. {* {* E; @+ ] 干式蚀刻机台分为那几个部份? " A- |2 P' u9 }
答：(1) Load/Unload 端 (2) transfer module (3) Chamber process module (4) 5 `; @5 B4 i" E6 o8 R# g
真空系统 (5) GAS system (6) RF system
